0 0 0
  8. NTR2101PT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTR2101PT1G

 
NTR2101PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 390154
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
24.70 грн
10+
17.61 грн
25+
14.10 грн
100+
12.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3001 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-8В(1441472)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTR2101PT1G
ONSEMI
Артикул: 390154
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; 0,96Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
24.70 грн
10+
17.61 грн
25+
14.10 грн
100+
12.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3001 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-8В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g