0 0 0
  8. NTS4101PT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTS4101PT1G

 
NTS4101PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 140882
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.85 грн
50+
7.98 грн
164+
6.00 грн
449+
5.67 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 3127 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,62А(1702076)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,329Вт(1742130)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,4нC(1634340)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTS4101PT1G
ONSEMI
Артикул: 140882
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,62А; 0,329Вт; SC70,SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.85 грн
50+
7.98 грн
164+
6.00 грн
449+
5.67 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  1
Колличество: 3127 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,62А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,329Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,4нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g