0 0 0
  8. NTS4173PT1G

Транзисторы с каналом P SMD NTS4173PT1G

 
NTS4173PT1G
 
ONSEMI
Артикул: 522512
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.54 грн
25+
11.15 грн
100+
9.88 грн
120+
8.41 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-800мА(1536857)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,29Вт(1742032)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10,1нC(1880640)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-5А(1810547)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NTS4173PT1G
ONSEMI
Артикул: 522512
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.54 грн
25+
11.15 грн
100+
9.88 грн
120+
8.41 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-800мА
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,29Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g