Транзисторы многоканальные NTZD3152PT1G

 
NTZD3152PT1G
 
Артикул: 000411
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.62 грн
25+
10.38 грн
100+
9.30 грн
115+
8.64 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2950 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,43А(1702128)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,7нC(1636487)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы многоканальные NTZD3152PT1G
ONSEMI
Артикул: 000411
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,43А; 0,25Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.62 грн
25+
10.38 грн
100+
9.30 грн
115+
8.64 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2950 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,43А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,7нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g