0 0 0
  7. NTZD5110NT1G

Транзисторы многоканальные NTZD5110NT1G

 
NTZD5110NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 390046
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.21 грн
25+
7.72 грн
100+
6.80 грн
160+
6.14 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563F(1926774)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,225А(1805619)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,28Вт(1742034)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные NTZD5110NT1G
ONSEMI
Артикул: 390046
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.21 грн
25+
7.72 грн
100+
6.80 грн
160+
6.14 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563F
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,225А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,28Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g