0 0 0
  7. NUP1105LT1G

Диоды защитные - сборки NUP1105LT1G

 
NUP1105LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 995144
Диод: TVS, сборка; 25,7÷28,4В; 8А; 350Вт; двойной,общий катод
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
25.34 грн
10+
18.05 грн
25+
14.57 грн
100+
11.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Обратное напряжение макс.
24В(1440511)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий катод(1497057)
Импульсный ток
8А(1632685)
Напряжение пробоя
25,7...28,4В(1930557)
Ток утечки
0,1мкА(1615249)
Применение
CAN(1917273)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,35кВт(1918269)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки NUP1105LT1G
ONSEMI
Артикул: 995144
Диод: TVS, сборка; 25,7÷28,4В; 8А; 350Вт; двойной,общий катод
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
25.34 грн
10+
18.05 грн
25+
14.57 грн
100+
11.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Обратное напряжение макс.
24В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий катод
Импульсный ток
8А
Напряжение пробоя
25,7...28,4В
Ток утечки
0,1мкА
Применение
CAN
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,35кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g