0 0 0
  8. NVD5C688NLT4G

Транзисторы с каналом N SMD NVD5C688NLT4G

 
NVD5C688NLT4G
 
ONSEMI
Артикул: 478175
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
159.55 грн
5+
103.19 грн
13+
78.59 грн
36+
73.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2061 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
27,4мОм(1790442)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
9Вт(1507535)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
77А(1846332)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NVD5C688NLT4G
ONSEMI
Артикул: 478175
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
159.55 грн
5+
103.19 грн
13+
78.59 грн
36+
73.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2061 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
27,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
77А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,375 g