0 0 0
  8. NVF2955T1G

Транзисторы с каналом P SMD NVF2955T1G

 
NVF2955T1G
 
ONSEMI
Артикул: 140883
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.02 грн
5+
80.38 грн
18+
56.42 грн
48+
53.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 966 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-2,6А(1492370)
Сопротивление в открытом состоянии
154мОм(1636482)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,3Вт(1449544)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,3нC(1636483)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,111 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NVF2955T1G
ONSEMI
Артикул: 140883
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.02 грн
5+
80.38 грн
18+
56.42 грн
48+
53.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 966 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
154мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,3нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,111 g