0 0 0
  8. NVMFS5C430NLAFT1G

Транзисторы с каналом N SMD NVMFS5C430NLAFT1G

 
NVMFS5C430NLAFT1G
 
ONSEMI
Артикул: 469484
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
169.68 грн
5+
153.03 грн
9+
116.56 грн
24+
110.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
140А(1479533)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4мОм(1479585)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
900А(1714537)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NVMFS5C430NLAFT1G
ONSEMI
Артикул: 469484
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
169.68 грн
5+
153.03 грн
9+
116.56 грн
24+
110.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
140А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
32нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
900А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g