0 0 0
  8. NVR5198NLT1G

Транзисторы с каналом N SMD NVR5198NLT1G

 
NVR5198NLT1G
 
ONSEMI
Артикул: 785712
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
20.34 грн
25+
17.40 грн
85+
11.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1855 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
0,205Ом(1790173)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,1нC(1633636)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
27А(1741675)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом N SMD NVR5198NLT1G
ONSEMI
Артикул: 785712
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
20.34 грн
25+
17.40 грн
85+
11.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1855 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,205Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g