0 0 0
  8. NVTR0202PLT1G

Транзисторы с каналом P SMD NVTR0202PLT1G

 
NVTR0202PLT1G
 
ONSEMI
Артикул: 759127
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.30 грн
10+
16.34 грн
100+
8.53 грн
136+
7.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,4А(1635018)
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом(1441389)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,225Вт(1707091)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,18нC(1636484)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1А(1908876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD NVTR0202PLT1G
ONSEMI
Артикул: 759127
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.30 грн
10+
16.34 грн
100+
8.53 грн
136+
7.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,225Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,18нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g