0 0 0
  7. NZQA6V8AXV5T1G

Диоды защитные - сборки NZQA6V8AXV5T1G

 
NZQA6V8AXV5T1G
 
ONSEMI
Артикул: 537821
Диод: TVS, сборка; 6,8В; 1,6А; 0,38Вт; SOT553; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.52 грн
25+
14.01 грн
95+
10.67 грн
265+
10.09 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT553(1501671)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
4,3В(1897430)
Импульсный ток
1,6А(1501545)
Напряжение пробоя
6,8В(1440418)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Кол-во каналов
4(1443902)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,38Вт(1930593)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки NZQA6V8AXV5T1G
ONSEMI
Артикул: 537821
Диод: TVS, сборка; 6,8В; 1,6А; 0,38Вт; SOT553; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.52 грн
25+
14.01 грн
95+
10.67 грн
265+
10.09 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT553
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
4,3В
Импульсный ток
1,6А
Напряжение пробоя
6,8В
Ток утечки
1мкА
Кол-во каналов
4
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,38Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g