Транзисторы с каналом N SMD RFD16N06LESM9A

 
RFD16N06LESM9A
 
Артикул: 077363
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.11 грн
5+
99.65 грн
11+
91.22 грн
25+
90.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 407 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
62нC(1479423)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,384 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RFD16N06LESM9A
ONSEMI
Артикул: 077363
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.11 грн
5+
99.65 грн
11+
91.22 грн
25+
90.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 407 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
62нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,384 g