0 0 0
  8. RFP12N10L

Транзисторы с каналом N THT RFP12N10L

 
RFP12N10L
 
ONSEMI
Артикул: 079896
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.51 грн
5+
73.86 грн
18+
58.31 грн
47+
55.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 43 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g
 
Транзисторы с каналом N THT RFP12N10L
ONSEMI
Артикул: 079896
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
92.51 грн
5+
73.86 грн
18+
58.31 грн
47+
55.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 43 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g