0 0 0
  8. SGP23N60UFDTU

Транзисторы IGBT THT SGP23N60UFDTU

 
SGP23N60UFDTU
 
ONSEMI
Артикул: 221351
Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
132.22 грн
3+
119.56 грн
10+
105.30 грн
12+
91.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
12А(1440957)
Ток коллектора в импульсе
92А(1699709)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,98 g
 
Транзисторы IGBT THT SGP23N60UFDTU
ONSEMI
Артикул: 221351
Транзистор: IGBT; 600В; 12А; 40Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
132.22 грн
3+
119.56 грн
10+
105.30 грн
12+
91.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
12А
Ток коллектора в импульсе
92А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
40Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
80нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,98 g