0 0 0
  7. SZMMBZ9V1ALT3G

Диоды защитные - сборки SZMMBZ9V1ALT3G

 
SZMMBZ9V1ALT3G
 
ONSEMI
Артикул: 214988
Диод: TVS, сборка; 9,1В; 1,7А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.23 грн
25+
10.92 грн
100+
9.80 грн
119+
8.42 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
6В(1440541)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Импульсный ток
1,7А(1501460)
Напряжение пробоя
9,1В(1501419)
Ток утечки
0,3мкА(1615245)
Применение
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Диоды защитные - сборки SZMMBZ9V1ALT3G
ONSEMI
Артикул: 214988
Диод: TVS, сборка; 9,1В; 1,7А; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.23 грн
25+
10.92 грн
100+
9.80 грн
119+
8.42 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
6В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Импульсный ток
1,7А
Напряжение пробоя
9,1В
Ток утечки
0,3мкА
Применение
automotive industry
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g