0 0 0
  7. UMC3NT1G

Комплементарные пары транзисторов UMC3NT1G

 
UMC3NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 218333
Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,15Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.50 грн
50+
4.54 грн
250+
4.00 грн
285+
3.47 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC88A(1759436) SOT353(1494676)
Конструкция диода
common base-collector(1752064)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
35...60(1752063)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN / PNP(1548834)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10/10кОм(1843420)
резистор эмиттер - база
10/10кОм(1749596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Комплементарные пары транзисторов UMC3NT1G
ONSEMI
Артикул: 218333
Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,15Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.50 грн
50+
4.54 грн
250+
4.00 грн
285+
3.47 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC88A
Корпус
SOT353
Конструкция диода
common base-collector
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
35...60
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN / PNP
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10/10кОм
резистор эмиттер - база
10/10кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g