0 0 0
  7. 2N7002KDW-AU_R1_000A1

Транзисторы многоканальные 2N7002KDW-AU_R1_000A1

 
2N7002KDW-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855221
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.96 грн
50+
4.35 грн
250+
3.91 грн
310+
3.19 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 6000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,25А(1702094)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,8нC(1642903)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные 2N7002KDW-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855221
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.96 грн
50+
4.35 грн
250+
3.91 грн
310+
3.19 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 6000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g