0 0 0
  8. P4SMAJ15A_R1_00001

Диоды transil SMD однонаправленные P4SMAJ15A_R1_00001

 
P4SMAJ15A_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855211
Диод: TVS; 0,4кВт; 16,7÷18,5В; 16,4А; однонаправленный; SMA; P4SMAJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
180+
5.56 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMA(1617640)
Обратное напряжение макс.
15В(1440490)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
16,4А(1501546)
Напряжение пробоя
16,7...18,5В(1711323)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Серия
P4SMAJ(1993182)
Peak pulse power dissipation
0,4кВт(1912990)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,092 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные P4SMAJ15A_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855211
Диод: TVS; 0,4кВт; 16,7÷18,5В; 16,4А; однонаправленный; SMA; P4SMAJ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
7.54 грн
100+
6.75 грн
180+
5.56 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1800 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SMA
Обратное напряжение макс.
15В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
16,4А
Напряжение пробоя
16,7...18,5В
Ток утечки
1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Серия
P4SMAJ
Peak pulse power dissipation
0,4кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,092 g