0 0 0
  8. PJA3400_R1_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJA3400_R1_00001

 
PJA3400_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855549
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; Idm: 19,6А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.91 грн
25+
7.38 грн
100+
6.59 грн
185+
5.56 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,9А(1441268)
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,7нC(1479169)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
19,6А(1986108)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJA3400_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855549
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; Idm: 19,6А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.91 грн
25+
7.38 грн
100+
6.59 грн
185+
5.56 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,9А
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
19,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g