Транзисторы с каналом P SMD PJA3407_R1_00001

 
PJA3407_R1_00001
 
Артикул: 854801
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
7.02 грн
100+
6.38 грн
190+
5.18 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2989 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,8А(1492294)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15,2А(1986126)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJA3407_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854801
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
7.02 грн
100+
6.38 грн
190+
5.18 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2989 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g