Транзисторы с каналом P SMD PJA3411-AU_R1_000A1

 
PJA3411-AU_R1_000A1
 
Артикул: 854785
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.12 грн
235+
4.18 грн
645+
3.96 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2785 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,1А(1492493)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,4нC(1479154)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12,4А(1986125)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJA3411-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 854785
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.12 грн
235+
4.18 грн
645+
3.96 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2785 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g