0 0 0
  8. PJA3412-AU_R1_000A1

Транзисторы с каналом N SMD PJA3412-AU_R1_000A1

 
PJA3412-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.79 грн
25+
6.47 грн
100+
5.83 грн
210+
4.75 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2555 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,1А(1441393)
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм(1441490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,6нC(1609769)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16,4А(1986109)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJA3412-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; Idm: 16,4А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.79 грн
25+
6.47 грн
100+
5.83 грн
210+
4.75 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2555 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g