0 0 0
  8. PJA3430_R1_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJA3430_R1_00001

 
PJA3430_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.15 грн
235+
4.21 грн
640+
3.98 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2590 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,8нC(1633317)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJA3430_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2А; Idm: 8А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.15 грн
235+
4.21 грн
640+
3.98 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2590 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g