0 0 0
  8. PJD18N20_L2_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJD18N20_L2_00001

 
PJD18N20_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855534
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 83Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
48.22 грн
25+
43.43 грн
28+
36.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
72А(1789194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJD18N20_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855534
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 72А; 83Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
48.22 грн
25+
43.43 грн
28+
36.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
24нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
72А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g