0 0 0
  8. PJD25N06A_L2_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJD25N06A_L2_00001

 
PJD25N06A_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855550
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.54 грн
5+
29.21 грн
25+
17.78 грн
69+
14.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2759 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,373 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJD25N06A_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855550
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.54 грн
5+
29.21 грн
25+
17.78 грн
69+
14.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2759 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,373 g