0 0 0
  8. PJD35P03_L2_00001

Транзисторы с каналом P SMD PJD35P03_L2_00001

 
PJD35P03_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854802
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
28.55 грн
25+
17.39 грн
69+
14.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-140А(1789200)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,354 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJD35P03_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854802
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.22 грн
5+
28.55 грн
25+
17.39 грн
69+
14.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-140А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,354 g