0 0 0
  8. PJD45P04_L2_00001

Транзисторы с каналом P SMD PJD45P04_L2_00001

 
PJD45P04_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854792
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -45А; Idm: -135А; 63Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
33.23 грн
25+
29.75 грн
40+
24.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-45А(1492540)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-135А(1986129)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJD45P04_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854792
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -45А; Idm: -135А; 63Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.96 грн
5+
33.23 грн
25+
29.75 грн
40+
24.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-45А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-135А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g