0 0 0
  8. PJE8403_R1_00001

Транзисторы с каналом P SMD PJE8403_R1_00001

 
PJE8403_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854795
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
7.89 грн
100+
7.02 грн
170+
5.74 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-600мА(1492342)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,2нC(1609813)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-2,4А(1942422)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJE8403_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854795
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
7.89 грн
100+
7.02 грн
170+
5.74 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-600мА
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g