0 0 0
  8. PJE8408_R1_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJE8408_R1_00001

 
PJE8408_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855565
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.95 грн
25+
7.89 грн
100+
7.01 грн
170+
5.74 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3885 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJE8408_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855565
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.95 грн
25+
7.89 грн
100+
7.01 грн
170+
5.74 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3885 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g