0 0 0
  7. PJGBLC03C-AU_R1_000A1

Диоды защитные - сборки PJGBLC03C-AU_R1_000A1

 
PJGBLC03C-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 1000561
Диод: TVS, сборка; 4,75÷5,25В; 1А; 350Вт; SOD323; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.80 грн
10+
23.89 грн
25+
15.98 грн
100+
12.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD323(1440251)
Емкость
3пФ(1442099)
Обратное напряжение макс.
3,3В(1586828)
Импульсный ток
1А(1440649)
Напряжение пробоя
4,75...5,25В(1993105)
Ток утечки
20мкА(1501434)
Применение
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,35кВт(1918269)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки PJGBLC03C-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 1000561
Диод: TVS, сборка; 4,75÷5,25В; 1А; 350Вт; SOD323; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.80 грн
10+
23.89 грн
25+
15.98 грн
100+
12.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOD323
Емкость
3пФ
Обратное напряжение макс.
3,3В
Импульсный ток
1А
Напряжение пробоя
4,75...5,25В
Ток утечки
20мкА
Применение
automotive industry
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,35кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g