0 0 0
  7. PJMBZ12A-AU_R1_007A1

Диоды защитные - сборки PJMBZ12A-AU_R1_007A1

 
PJMBZ12A-AU_R1_007A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 984109
Диод: TVS, сборка; 11,4÷12,6В; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
25+
41.52 грн
100+
23.06 грн
309+
3.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Обратное напряжение макс.
8,5В(1636857)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Напряжение пробоя
11,4...12,6В(1918252)
Ток утечки
0,2мкА(1501595)
Применение
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки PJMBZ12A-AU_R1_007A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 984109
Диод: TVS, сборка; 11,4÷12,6В; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.80 грн
25+
41.52 грн
100+
23.06 грн
309+
3.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Обратное напряжение макс.
8,5В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Напряжение пробоя
11,4...12,6В
Ток утечки
0,2мкА
Применение
automotive industry
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g