0 0 0
  7. PJMBZ33A-AU_R1_007A1

Диоды защитные - сборки PJMBZ33A-AU_R1_007A1

 
PJMBZ33A-AU_R1_007A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 984108
Диод: TVS, сборка; 31,35÷34,65В; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.75 грн
25+
40.80 грн
100+
22.65 грн
309+
3.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Обратное напряжение макс.
26В(1611238)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий анод(1440273)
Напряжение пробоя
31,35...34,65В(1918244)
Ток утечки
50нА(1613685)
Применение
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
40Вт(1911820)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки PJMBZ33A-AU_R1_007A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 984108
Диод: TVS, сборка; 31,35÷34,65В; 40Вт; двойной,общий анод; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.75 грн
25+
40.80 грн
100+
22.65 грн
309+
3.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Обратное напряжение макс.
26В
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий анод
Напряжение пробоя
31,35...34,65В
Ток утечки
50нА
Применение
automotive industry
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
40Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g