0 0 0
  8. PJMD900N60EC_L2_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJMD900N60EC_L2_00001

 
PJMD900N60EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855536
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.90 грн
5+
39.28 грн
25+
35.29 грн
34+
29.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
47,5Вт(1775138)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,8нC(1636391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,7А(1986114)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJMD900N60EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855536
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 9,7А; 47,5Вт; TO252AA
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.90 грн
5+
39.28 грн
25+
35.29 грн
34+
29.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
47,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g