0 0 0
  8. PJMD990N65EC_L2_00001

Транзисторы с каналом N SMD PJMD990N65EC_L2_00001

 
PJMD990N65EC_L2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.16 грн
5+
39.36 грн
25+
35.37 грн
34+
28.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252AA(1492361)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
4,7А(1479142)
Сопротивление в открытом состоянии
990мОм(1986116)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
47,5Вт(1775138)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,7нC(1479398)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,5А(1986115)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJMD990N65EC_L2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855558
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,7А; Idm: 9,5А; 47,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.16 грн
5+
39.36 грн
25+
35.37 грн
34+
28.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
TO252AA
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
4,7А
Сопротивление в открытом состоянии
990мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
47,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g