0 0 0
  8. PJMF120N60EC_T0_00001

Транзисторы с каналом N THT PJMF120N60EC_T0_00001

 
PJMF120N60EC_T0_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855185
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 69А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.22 грн
3+
159.55 грн
8+
133.36 грн
21+
126.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
33Вт(1595255)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
69А(1790437)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT PJMF120N60EC_T0_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855185
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 69А; 33Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
176.22 грн
3+
159.55 грн
8+
133.36 грн
21+
126.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
51нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
69А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g