0 0 0
  8. PJMF600N65E1_T0_00001

Транзисторы с каналом N THT PJMF600N65E1_T0_00001

 
PJMF600N65E1_T0_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855184
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; Idm: 21,9А; 32Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
67.79 грн
10+
59.82 грн
18+
55.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
7,3А(1479166)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
32Вт(1614700)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
21,9А(1986113)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT PJMF600N65E1_T0_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855184
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; Idm: 21,9А; 32Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
67.79 грн
10+
59.82 грн
18+
55.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
7,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
32Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
21,9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g