0 0 0
  8. PJQ4401P-AU_R2_000A1

Транзисторы с каналом P SMD PJQ4401P-AU_R2_000A1

 
PJQ4401P-AU_R2_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854770
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.77 грн
5+
38.44 грн
25+
34.70 грн
35+
28.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-50А(1588832)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
27нC(1479063)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-200А(1810493)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJQ4401P-AU_R2_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 854770
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.77 грн
5+
38.44 грн
25+
34.70 грн
35+
28.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-50А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
27нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g