Транзисторы с каналом N SMD PJQ5544-AU_R2_002A1

 
PJQ5544-AU_R2_002A1
 
Артикул: 855535
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.08 грн
10+
88.92 грн
25+
77.83 грн
29+
34.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
130А(1441558)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
100Вт(1701916)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
41нC(1479238)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
520А(1758505)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJQ5544-AU_R2_002A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855535
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.08 грн
10+
88.92 грн
25+
77.83 грн
29+
34.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
130А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
100Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
41нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
520А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g