0 0 0
  8. PJQ5546V-AU_R2_002A1

Транзисторы с каналом N SMD PJQ5546V-AU_R2_002A1

 
PJQ5546V-AU_R2_002A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855539
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 79А; Idm: 316А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.90 грн
5+
30.52 грн
25+
27.39 грн
44+
22.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
79А(1479436)
Сопротивление в открытом состоянии
7,3мОм(1599981)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
65Вт(1507555)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
316А(1887989)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PJQ5546V-AU_R2_002A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855539
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 79А; Idm: 316А; 65Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.90 грн
5+
30.52 грн
25+
27.39 грн
44+
22.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
79А
Сопротивление в открытом состоянии
7,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
316А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g