0 0 0
  8. PJS6461-AU_S1_000A1

Транзисторы с каналом P SMD PJS6461-AU_S1_000A1

 
PJS6461-AU_S1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854798
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
9.89 грн
100+
8.77 грн
125+
8.06 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-3,2А(1492401)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJS6461-AU_S1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 854798
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
9.89 грн
100+
8.77 грн
125+
8.06 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g