0 0 0
  7. PJS6601_S1_00001

Транзисторы многоканальные PJS6601_S1_00001

 
PJS6601_S1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855227
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
9.29 грн
100+
8.11 грн
135+
7.63 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2910 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-6(1443748)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
4,1/-3,1А(1996968)
Сопротивление в открытом состоянии
95/190мОм(1986095)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,6/5,4нC(1986096)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы многоканальные PJS6601_S1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855227
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 4,1/-3,1А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
9.29 грн
100+
8.11 грн
135+
7.63 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2910 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-6
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
4,1/-3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
95/190мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,6/5,4нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g