0 0 0
  7. PJSD12TS_R1_00001

Диоды защитные - сборки PJSD12TS_R1_00001

 
PJSD12TS_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855139
Диод: TVS; 13,3В; 5А; 120Вт; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
50+
4.89 грн
245+
4.06 грн
665+
3.84 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD523(1497086)
Емкость
60пФ(1636348)
Обратное напряжение макс.
12В(1440484)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
5А(1440706)
Напряжение пробоя
13,3В(1586763)
Ток утечки
5мкА(1501362)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
120Вт(1941014)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки PJSD12TS_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855139
Диод: TVS; 13,3В; 5А; 120Вт; однонаправленный; SOD523; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.95 грн
50+
4.89 грн
245+
4.06 грн
665+
3.84 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOD523
Емкость
60пФ
Обратное напряжение макс.
12В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
5А
Напряжение пробоя
13,3В
Ток утечки
5мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
120Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g