0 0 0
  8. PJSD36W-AU_R1_000A1

Диоды transil SMD однонаправленные PJSD36W-AU_R1_000A1

 
PJSD36W-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855147
Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.59 грн
25+
7.81 грн
100+
7.03 грн
170+
5.80 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD323(1440251)
Емкость
30пФ(1437537)
Обратное напряжение макс.
36В(1440572)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
1А(1440649)
Напряжение пробоя
39,9...45В(1993111)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Применение
automotive industry(1821825)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,35кВт(1918269)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные PJSD36W-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855147
Диод: TVS; 350Вт; 39,9÷45В; 1А; однонаправленный; SOD323; 30пФ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.59 грн
25+
7.81 грн
100+
7.03 грн
170+
5.80 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOD323
Емкость
30пФ
Обратное напряжение макс.
36В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
1А
Напряжение пробоя
39,9...45В
Ток утечки
1мкА
Применение
automotive industry
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,35кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g