0 0 0
  7. PJT138K-AU_R1_000A1

Транзисторы многоканальные PJT138K-AU_R1_000A1

 
PJT138K-AU_R1_000A1
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855229
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
6.61 грн
100+
5.93 грн
205+
4.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,36А(1702187)
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
236мВт(1986110)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1нC(1609788)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные PJT138K-AU_R1_000A1
PanJit Semiconductor
Артикул: 855229
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 360мА; Idm: 1,2А; 236мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
6.61 грн
100+
5.93 грн
205+
4.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,36А
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
236мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g