0 0 0
  7. PJT7600_R1_00001

Транзисторы многоканальные PJT7600_R1_00001

 
PJT7600_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855224
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
8.02 грн
100+
7.23 грн
170+
6.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
1А/-700мА(1996969)
Сопротивление в открытом состоянии
400/600мОм(1986097)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,6/2,2нC(1986100)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы многоканальные PJT7600_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855224
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1А/-700мА; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.75 грн
25+
8.02 грн
100+
7.23 грн
170+
6.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
1А/-700мА
Сопротивление в открытом состоянии
400/600мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,6/2,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g