0 0 0
  7. PJT7603_R1_00001

Транзисторы многоканальные PJT7603_R1_00001

 
PJT7603_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855230
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
6.61 грн
100+
5.93 грн
205+
4.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
50/-60В(1996970)
Ток стока
-250/400мА(1986102)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5/6Ом(1986104)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,95/1,1нC(1993129)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные PJT7603_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855230
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 50/-60В; -250/400мА; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.96 грн
25+
6.61 грн
100+
5.93 грн
205+
4.89 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
50/-60В
Ток стока
-250/400мА
Сопротивление в открытом состоянии
2,5/6Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,95/1,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g