0 0 0
  7. PJT7800_R1_00001

Транзисторы многоканальные PJT7800_R1_00001

 
PJT7800_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855223
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
7.95 грн
100+
7.16 грн
170+
5.90 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 5995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,6нC(1884206)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
4А(1709876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные PJT7800_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855223
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1А; Idm: 4А; 350мВт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
7.95 грн
100+
7.16 грн
170+
5.90 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 5995 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g