0 0 0
  7. PJT7801_R1_00001

Транзисторы многоканальные PJT7801_R1_00001

 
PJT7801_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855222
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
7.95 грн
100+
7.16 грн
170+
5.90 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2970 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,7А(1635017)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,2нC(1609813)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А(1801471)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные PJT7801_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855222
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А; 350мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
7.95 грн
100+
7.16 грн
170+
5.90 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2970 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-2,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g