0 0 0
  8. PJW3P10A_R2_00001

Транзисторы с каналом P SMD PJW3P10A_R2_00001

 
PJW3P10A_R2_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854778
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.54 грн
5+
22.54 грн
25+
20.16 грн
60+
16.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-2,6А(1492370)
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом(1503652)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-10,4А(1986131)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJW3P10A_R2_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854778
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.54 грн
5+
22.54 грн
25+
20.16 грн
60+
16.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-10,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,2 g